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真空鍍膜設備廠家爲你介紹真空鍍膜工藝的原理及應用

來源:www.jzgclsjn.com發表時間:2018-07-11

真空鍍膜是在真空中將钛、金、石墨、水晶等金屬或非金屬、氣體等材料利用濺射、蒸發或離子鍍等技術,在基材上形成薄膜的一種表面處理過程。與傳統化學鍍膜方法相比,真空鍍膜有很多優點:如對環境無汙染,是綠色環保工藝;對操作者無傷害;膜層牢固、致密性好、抗腐蝕性強,膜厚均勻。真空鍍膜技術中經常使用的方法主要有:蒸發鍍膜(包括電弧蒸發、電子槍蒸發、電阻絲蒸發等技術)、濺射鍍膜(包括直流磁控濺射、中頻磁控濺射、射頻濺射等技術),這些方法統稱物理氣相沈積(PhysicalVaporDeposition),簡稱爲PVD。與之對應的化學氣相沈積(ChemicalVaporDeposition)簡稱爲CVD技術。行業內通常所說的“IP”(ionplating)離子鍍膜,是因爲在PVD技術中各種氣體離子和金屬離子參與成膜過程並起到重要作用,爲了強調離子的作用,而統稱爲離子鍍膜。真空鍍膜是一種産生薄膜材料的技術。在真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項技術用于生産激光唱片(光盤)上的鋁鍍膜和由掩膜在印刷電路板上鍍金屬膜。在真空中制備膜層,包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沈積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段,但一般真空鍍膜是指用物理的方法沈積薄膜。真空鍍膜有三種形式,即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍.蒸發鍍膜通過加熱蒸發某種物質使其沈積在固體表面,稱爲蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第于1857年提出,現代已成爲常用鍍膜技術之一。蒸發物質如金屬、化合物等置于坩埚內或挂在熱絲上作爲蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系統抽至高真空後,加熱坩埚使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沈積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定于蒸發源的蒸發速率和時間(或決定于裝料量),並與源和基片的距離有關。對于大面積鍍膜,常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約爲0.1~0.2電子伏。

  

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